تأثیر هیدروژن در گاف انرژی نانوتیوب های نیمه هادی (زیگزاگ)

thesis
abstract

هیدروژن به عنوان یک سوخت پاک می تواند نقش مهمی در مصرف انرژی ایفا نماید. از طرفی ذخیره سازی و حمل و نقل هیدروژن از مشکلات اصلی استفاده از آن است که با کشف نانولوله های کربنی تا حدود زیادی این مشکل برطرف شده است در این پروژه ابتدا نانولوله های کربنی، به ویژه نانولوله های با قطر کوچک را مدل سازی کردیم و نشان دادیم چگونه انحناء لوله در خواص الکترونی نانولوله های کربنی تأثیر می گذارد. نتایج به دست آمده حاکی آز آن است که کاهش شعاع و در نتیجه افزایش انحناء در نانولوله های با قطر کوچکتر از 4 آنگستروم، موجب تغییر خواص الکترونی این نانولوله ها از نیمه هادی به فلزی می شود. سپس جذب هیدروژن در نانولوله های کربنی را در حالت های مختلف بررسی کردیم و نشان داده ایم که خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های کربنی در حالت های مختلف جذب چگونه تغییر می کنند. در واقع جذب خارجی هیدروژن به صورت اتمی صورت می گیرد و موجب ایجاد گافی در حدود 1 ~ 3 ev در سطح فرمی ساختار نواری نانولوله ها می شود. در حالی که جذب داخلی هیدروژن بسته به نوع نانولوله به صورتی اتمی و یا مولکولی بوده که در این حالت جذب خواص الکترونی نانولوله نسبت به حالت قبل از جذب، حفظ می شود. محاسبات انجام شده با استفاده از بسته نرم افزاری quantum espresso می-باشد. این نرم افزار بر اساس تقریب نظریه تابعی چگالی و استفاده از روش شبه پتانسیل می باشد. در شبه پتانسیلی که در محاسبات برای اتم های کربن و هیدروژن مورد استفاده قرار دادیم تقریب چگالی موضعی در تولید آن استفاده شده است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بررسی گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی نیمه هادی های chalcopyrite سه گانه

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

full text

تأثیر نوع نانو نوار زیگزاگ و دسته صندلی گرافن بر ضریب عبور و گاف انرژی

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

full text

اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

full text

نیمه هادی ها و ترانزیستور

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

full text

فناوری حافظه های نیمه هادی فرّار: گذشته، حال و آینده

اهمیت و تأثیر صنعت الکترونیک بر زندگی بشر در قرن گذشته و در دوران کنونی بر کسی پوشیده نیست. این صنعت، در قرن بیست و یکم، همچنان با روندی پرشتاب و مطمئن می‌رود تا با استفاده از فناوری نانو با رشد تکاملی و انقلابی خود با استفاده از نوآوریها و اختراعها طلایه‌دار بهبود زندگی بشر در بسیاری از زمینه‌ها از جمله فناوری رایانه، فناوری اطلاعات، فناوری زیستی، صنعت حمل و نقل، سامانه‌های دفاعی و وسایل الکتر...

full text

بررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی آلومینیم گالیم نیترید

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023